PN结接触电势差通常是指PN结形成后,在P型和N型半导体接触界面处产生的电势差。这个电势差并不是内建电场,而是由内建电场引起的。
在PN结形成时,由于P型半导体中掺杂的空穴和N型半导体中掺杂的电子浓度不同,当两者接触时,自由电子和空穴会向对方扩散,直到达到电荷平衡。这个过程会导致P型半导体一侧留下正电荷,而N型半导体一侧留下负电荷,从而在PN结处形成内建电场。
内建电场是由PN结两侧的电荷分布产生的,它的方向是从N型半导体指向P型半导体。这个电场会阻碍更多的电子和空穴在PN结附近扩散,从而形成空间电荷区。PN结接触电势差就是内建电场在空间电荷区产生的电势差。
总结来说,PN结接触电势差是由内建电场引起的,但电势差本身并不是内建电场。
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