2SK851是一款日本三菱(Mitsubishi)公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。以下是2SK851的一些基本参数:
1. 类型:N沟道增强型MOSFET
2. 封装:TO-247
3. 最大漏源电压(VDS):100V
4. 最大栅源电压(VGS):20V
5. 最大连续漏极电流(ID):12A
6. 开关频率:约200kHz
7. 导通电阻(RDS(on)):约0.018Ω(典型值)
8. 最大功耗(Ptot):约1.5W
9. 热阻(θJA):约62.5°C/W
请注意,这些参数可能因制造商和具体型号而有所不同。在使用2SK851之前,请查阅相关数据手册以获取更详细的信息。
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